imec的研究人员的N型PERT(腐蚀发射极、背面仅有蔓延)太阳能电池日前构建一个新的创纪录的切换效率，该电池落成Meco的镍/铜/银镀层(三根主栅线电网)技术以及SoLayTec的原子层沉积(ALD)Al2O3工艺。　　imec回应，大面积硅片(156mmx156mm)N型PERT太阳能电池在FraunhoferISECalLab校准。　　imec光伏部门总监JozefSzlufcik回应：尽管正处于早期开发阶段，但是结果显示n型PERT太阳能电池十分低的效率潜力。

此外，由于硼氧化合物，n型电池仍不受到不存在于p型电池光致水解的影响，从而使得长年能源产量的提升，并因此减少整个每千瓦时成本。　　据传该电池早已构建677mV的开路电压(Voc)，39.1mA/cm2的短路电流(Jsc)以及81.3%的填满系数，证明随着双面认识晶体硅太阳能电池用作批量商业化生产，具备潜力改良切换效率。　　据传N型PERT电池使用一个由硼蔓延产生的背面覆盖面积p+发射极，n+前表面局域上的金属触点借助Meco的镍/铜/银镀层构成。

　　据传p+发射极背面局部触点早已由背面腐蚀冲刷和随后铝的物理气相沉积的激光激光产生。背面腐蚀冲刷还包括一个厚的(10nm)ALD基Al2O3层，在其InPassion设备中使用SoLayTec的空间ALD技术。　　SoLayTec的牵头创始人兼任营销和销售经理RogerG？rtzen在拒绝接受PV-Tech专访时回应：很好的结论是我们的工业InPassionALD比热容滑水解处置更佳。

这意味著，ALD设备可以用作下一代电池概念，如PERC技术和用作N型腐蚀，硬件没任何转变。　　低成本N型硅片的可用性还被视为未来几年主流太阳能电池生产商，预期更加普遍地使用基片的一个最重要部分。

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